Pagrindinis
Produktai
Gamintojai
Apie DiGi
Susisiekite su mumis
Tinklaraščiai ir įrašai
Užklausa dėl kainos/Siūlymas
Lithuania
Prisijungti
Pasirinktinė kalba
Dabartinė jūsų pasirinkta kalba
Lithuania
Perjungti:
Anglų
Europa
Jungtinė Karalystė
Prancūzija
Ispanija
Turkija
Moldavija
Lietuva
Norvegija
Vokietija
Portugalija
Slovakija
litų
Suomija
Rusų
Bulgarija
Danija
Estija
Lenkija
Ukraina
Slovėnija
Čekų
Graikų
Kroatija
Izraelis
Serbija
Baltarusija
Nyderlandai
Švedija
Juodkalnija
Baskų
Islandija
Bosnija
Vengrų
Rumunija
Austrija
Belgija
Airija
Azija / Ramiojo vandenyno regionas
Kinija
Vietnamas
Indonezija
Tailandas
Laosas
Filipinų
Malaizija
Korėja
Japonija
Hongkong
Taivanas
Singapūras
Pakistanas
Saudo Arabija
Kataras
Kuveitas
Kambodža
Mianmaras
Afrika, Indija ir Artimieji Rytai
Jungtiniai Arabų Emyratai
Tadžikija
Madagaskaras
Indija
Iranas
Kongo Demokratinė Respublika
Pietų Afrika
Egiptas
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegalas
Marokas
Tunisas
Pietų Amerika / Okeanija
Naujoji Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambikas
Peru
Kolumbija
Čilė
Venesuela
Ekvadoras
Bolivija
Urugvajus
Argentina
Paragvajus
Australija
Šiaurės Amerika
Jungtinės Amerikos Valstijos
Haitis
Kanada
Kosta Rika
Meksika
Apie DiGi
Apie mus
Apie mus
Mūsų sertifikatai
DiGi Įvadas
Kodėl DiGi
Politika
Kokybės politika
Naudojimosi sąlygos
RoHS atitiktis
Grąžinimo procesas
Ištekliai
Produktų Kategorijos
Gamintojai
Tinklaraščiai ir įrašai
Paslaugos
Kokybės garantija
Mokėjimo būdas
Pasaulinė siunta
Siuntimo kainos
DUK
Gamintojo produkto numeris:
IPI35CN10N G
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPI35CN10N G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 27A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventorius:
Prašymas dėl kainos internetu
12801044
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
*
Įmonė
*
Kontaktinis Vardas
*
Telefonas
*
El. paštas
Pristatymo adresas
Žinutė
(
*
) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPI35CN10N G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
27A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 29µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1570 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
58W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO262-3
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
IPI35C
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
IPI35CN10N G-DG
Duomenų lapai
IPI35CN10N G
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IPI35CN10N G-DG
SP000208936
SP000680730
IPI35CN10NG
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF540ZLPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
862
DiGi DALIES NUMERIS
IRF540ZLPBF-DG
VISO KAINA
0.53
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
AOWF412
GAMINTOJAS
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
AOWF412-DG
VISO KAINA
0.97
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPD90N06S405ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPA60R280P7SXKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220